买卖IC网 >> 产品目录 >> SI3460DV-T1 MOSFET 20V 6.8A 2W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI3460DV-T1

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 6.8A 2W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 6.8A 2W
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 6.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.027 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-6
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI3460DV-T1
SI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-GE3
Si3460-E02-GM
SI3460-E02-GMR
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  • SI3460DV-T1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价